布袋除尘检漏型号：IPS-A原理：在流动粉体中，颗粒与颗粒，颗粒与管壁，颗粒与布袋之间因磨擦、碰撞产生静电荷，形成静电场，其静电场的变化即反映粉尘含量的变化。检漏仪就是通过测量静电场的变化，来判断布...

超声波流量计(手持式)型号：HDLCSL-5A原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量顺流和逆流方向的超声波传输时间，根据时差计算出流速。当超声波...

超声波流量计(便携式)型号：HDLCSL-5B原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量顺流和逆流方向的超声波传输时间，根据时差计算出流速。当超声波...

超声波流量计(插入式)型号：HDLCSL-5C原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量顺流和逆流方向的超声波传输时间，根据时差计算出流速。当超声波...

超声波流量计(外缚式)型号：HDLCSL-5F原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量顺流和逆流方向的超声波传输时间，根据时差计算出流速。当超声波...

超声波流量计(管段式)型号：HDLCSL-5G原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量顺流和逆流方向的超声波传输时间，根据时差计算出流速。当超声波...

电磁流量计(分体式)型号：HDLDC-06F原理：电磁流量计是本公司采用德国先进的电磁流量计技术，在国内共同组装生产的新一代流量计。这是基于法拉第电磁感应定律而设计的感应式仪表，由传感器和转换器两部...

电磁流量计(一体式)型号：HDLDC-06Y原理：电磁流量计是本公司采用德国先进的电磁流量计技术，在国内共同组装生产的新一代流量计。这是基于法拉第电磁感应定律而设计的感应式仪表，由传感器和转换器两部...

涡街流量计型号：HDLWJ-06原理：涡街流量计是以卡曼涡街为基础，当气体或液体从非流线体的正面流过时，该挡体两侧将产生有规则的漩涡，差动检测元件装在非流线体内，不直接受力冲击或介质的损害，传感器把...

涡轮流量计型号：HDLWL-06原理：涡轮流量计传感器内的涡轮在流体作用下产生旋转，使信号检测器的磁场产生变化，因此在信号检测器的线圈中感应出交变电压，在经过放大器放大，滤波，整形输出方波信号。此信...

威力巴流量计型号：HDLWB-06*插入式设计,在线不断流安装*全不锈钢焊接,稳定可靠*压力损失小*一体化结构.避免高温高压的泄漏*可同时实现差压,压力,温度测量*适用于超大管测量,成本低,*无可动...

V锥流量计型号：HDLVZ-06原理：V锥流量计与笔何节流元件差压而浊出游以量一样，均其于密闭管道中能量转换守恒的伯努利定理进行理论测量，即流速与差压平方根成正比，再乘以管道截面积和流出系数就可以得...

转子流量计型号：HDLFZ-06原理：转子流量计为变面积式流量计，它由流量传感器和指示器两疗分组成，当流体通过测量管时，浮子在锥形管中上下自由移动。浮子外缘直径与锥形管之间所形成的环形面积随浮子位置...

超声波液位计(分体式)型号：HDLCSY-03K原理：HDLCSY-03K超声波液（物）位仪是由微处理器控制的数字液（物）位仪表。在测量中脉冲超声波由传感器（换能器）发出，声波经液（物）体表面反射后...

超声波液位计(一体式)型号：HDLCSY-03L原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量液体高位与低位的超声波传输时间，根据时差计算出液体液面所在...

投入式液位计型号：TRA-300T原理：投入式液位计是用静压测量原理来测量液体的位置的，当液位变送器投入到被测液中某一深度时传感器液面受到压力通过导气电缆将液面上的大气压引入到传感器的背压腔，以低消...

双色石英管液位计型号：HDLSY-03原理：双色石英管液位全部采用二氧化硅石英玻璃管，耐高温，抗压强度为1000MPA，由于它的物理特征和光学特征较普通玻璃管的功能更加优越，使其广泛应用于测量工业设...

磁翻板液位计型号：HDLUQK-3原理：★磁翻板液位计是以磁性浮标驱动双色磁板指示液位，仪表根据浮力原理，在测量管内浮标随液位升降面上，下移动，浮标内的磁钢通过磁耦合驱动双色薄片翻转来显示液位高度，...

超声波液位计(一体式)型号：HDLCSY-03F原理：超声波流量计得用了低电压，多脉冲差原理，采用高精度和超稳定的双平衡信号差分发射，来测量液体高位与低位的超声波传输时间，根据时差计算出液体液面所在...

压力变送器型号：TRA-200AL原理：小巧型压力变送器由压阻式传感器和信号转换模块组合，传达室感器的核心部件为单晶硅片，当单晶硅片受压时，本身的电阻碍率要发生变化。通过半导体平面工艺在硅片上扩散形...